Eskişehir Teknik Üniversitesi Fen Fakültesi akademisyenleri, daha evvel silisyum alttaş üzerine ürettikleri, uydu ve uzay araçlarına güç sağlayan esnek ince güneş hücrelerinin verimliliğini artıracak proje geliştirdi.
Öğretim üyeleri Prof. Dr. Uğur Serincan, Doç. Dr. Mustafa Kulakcı ve Dr. Öğr. Üyesi Burcu Arpapay’ın, ESTÜ Nanoboyut Araştırma Laboratuvarında silisyum taban gereç üzerine daha evvel galyum arsenik kaplayıp ürettiği esnek ince sinema güneş hücresi, bu yıl Türk Patent ve Marka Kurumu tarafından (TÜRKPATENT) tescillendi.
Akademisyenler Serincan, Kulakcı ve Arpapay ile grubu, ürettikleri güneş hücresinin verimliliğini artırıcı yeni bir katman üzerine yaptıkları çalışmaları da tamamladı.
TÜBİTAK 1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı kapsamında, uydu ve uzay alanındaki ulusal yatırımlara katkı sunması hedeflenen projede daha evvel galyum arsenikle üretilen esnek ince sinema güneş hücresini galyum indiyum fosfat (GaInP) ile kaplayıp verimliğini yüzde 25’lere çıkardı.
Üniversitenin İleri Teknolojiler Uygulama ve Araştırma Merkezi Müdürü de olan Prof. Dr. Serincan, uydu ve uzay uygulamaları için yüksek verimli güneş hücrelerinin değerine değinerek, geliştirdikleri esnek ince güneş hücresinin ülke için değerli bir çıkar olduğunu söyledi.
Silisyum taban kullanılarak ürettikleri GaAs tabanlı güneş hücrelerinin devamı niteliğinde olan verimliliği artırıcı yeni bir katman üzerine yaptıkları çalışmaları tamamladıklarını anlatan Serincan, bahisle alakalı: “Çalışmayı TÜBİTAK 1001-Bilimsel ve Teknolojik Araştırma Projelerini Destekleme Programı kapsamında yaptık ve sonuçlandırdık. Uydu ve uzay uygulamalarında hafiflik ve verimlilik çok değerli. Bunun dışında çalıştığınız eser radyasyona da maruz kaldığında ziyan görmemelidir. Bu manada, GaAs esnek güneş hücreleri ön plana çıkıyor. Muadillerine nazaran daha ucuz biçimde silisyum alttaş üzerinden GaAs tabanlı esnek güneş hücresi geliştirip, bunun patentini aldık. Büsbütün yerli olarak geliştirdiğimiz esnek ince güneş hücresindeki verimliliği artırmak üzere ikinci bir katman olarak GaInP üzerine çalışmalarımızı tamamladık. Böylelikle güneş hücresinin verimliliğini artırmanın önünü açmış olduk. GaAs tabanlı güneş hücresine ek olarak GaInP katmanı ekleyeceğiz. Her ikisini bir ortaya getirdiğimizde güneş ışığının soğurulması artacak ve hücreden elde edilen verimliliği üste taşıyacağız. Şimdilik yüzde 25 verimlilik oranına ulaşmayı öngörüyoruz.” formunda açıklama yaptı.
