Teknolojik aygıtların boyutları küçüldükçe donanım modüllerinin ve fabrikasyon mimarisinin de küçülmesi gerekiyor. Bu basamakta DRAM pazarındaki rekabet sürerken, hem kapasite hem de ayak izi açısından yeni teknolojiler ile müsabakaya devam ediyoruz. Son olarak Samsung, Memcon 2024 kapsamında 3D DRAM teknolojisini tanıttı. Samsung 3D DRAM teknolojisini tanıttı
Samsung, Memcon 2024 kapsamında iki yeni 3D DRAM teknolojsini sergiledi; Dikey Kanal Transistörleri ve İstiflenmiş DRAM. Bu gelişmelerden birincisi, transistör dizaynında temel bir değişiklik sağlayarak alanı azaltmayı hedefliyor. Bu evrede mevcut akış kanalı yataydan dikeye çevrilerek transistörün kapladığı alan değerli ölçüde azaltılacak. Fakat bu tekniğin baskı etabında çok daha fazla hassasiyet gerektireceğini hatırlatalım.
Stacked yahut İstiflenmiş DRAM ise, yatay düzlemi kullanan klâsik 2D DRAM’den farklı olarak tek bir çip üzerinde birden fazla dikey bellek hücresine imkan tanıyacak. Bu yenilikçi yaklaşım, tek çip kapasitesini 100 GB’ın üzerine çıkarma potansiyeline sahip; bu, mevcut sınırlamalarla karşılaştırıldığında kıymetli bir sıçrama
Böylelikle hem kapasite hem de ölçeklenebilirlilik alanında atılım bekleniyor.
3D DRAM pazarının 2028’e kadar 100 milyar dolara ulaşması bekleniyor. Samsung ise, Silikon Vadisi’nde kurulacak özel bir 3D DRAM araştırma laboratuvarı ile en âlâ yetenekleri çekmeye ve araştırma-geliştirme uğraşlarını hızlandırmaya odaklanacak. Ayrıca Koreli dev, kurumsal pazarlarda için MUF Teknolojisini de araştırıyor. Samsung’un uğraşları gelecekte daha güçlü ve kompakt elektronik aygıtların geliştirilmesine yol açabilir. Fakat Koreli devin bu alanda tek olmadığını hatırlatalım.
